ออกแบบสำหรับเป็นวงจรจุดชนวนการทำงานของสวิตช์มอสเฟส (MOSFET) และไอจีบีที (IGBT) ที่ความถี่สูง 30 kHz - 100 kHz
เอกสารประกอบการออกแบบ
- Data Sheet CLICK
- การออกแบบวงจร bootstrap circuitry
แหล่งอ้างอิง
ฺBlog smpsbysuwatdun
Tahmid's Blog
Microcontrollers Lab
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น